قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
رقم القطعة
SIR878ADP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Last Time Buy
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 44.5W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
14 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.8V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1275pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 16907 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIR878ADP-T1-GE3
SIR878ADP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIR878ADP-T1-GE3 مبيعات
SIR878ADP-T1-GE3 المورد
SIR878ADP-T1-GE3 موزع
SIR878ADP-T1-GE3 جدول البيانات
SIR878ADP-T1-GE3 الصور
SIR878ADP-T1-GE3 سعر
SIR878ADP-T1-GE3 يعرض
SIR878ADP-T1-GE3 أقل سعر
SIR878ADP-T1-GE3 يبحث
SIR878ADP-T1-GE3 شراء
SIR878ADP-T1-GE3 رقاقة