قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
رقم القطعة
SIRA00DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11700pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
+20V, -16V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 10723 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIRA00DP-T1-GE3
SIRA00DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIRA00DP-T1-GE3 مبيعات
SIRA00DP-T1-GE3 المورد
SIRA00DP-T1-GE3 موزع
SIRA00DP-T1-GE3 جدول البيانات
SIRA00DP-T1-GE3 الصور
SIRA00DP-T1-GE3 سعر
SIRA00DP-T1-GE3 يعرض
SIRA00DP-T1-GE3 أقل سعر
SIRA00DP-T1-GE3 يبحث
SIRA00DP-T1-GE3 شراء
SIRA00DP-T1-GE3 رقاقة