قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIRA72DP-T1-GE3

SIRA72DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
رقم القطعة
SIRA72DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET® Gen IV
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56.8W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3240pF @ 20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
+20V, -16V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 32178 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIRA72DP-T1-GE3
SIRA72DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIRA72DP-T1-GE3 مبيعات
SIRA72DP-T1-GE3 المورد
SIRA72DP-T1-GE3 موزع
SIRA72DP-T1-GE3 جدول البيانات
SIRA72DP-T1-GE3 الصور
SIRA72DP-T1-GE3 سعر
SIRA72DP-T1-GE3 يعرض
SIRA72DP-T1-GE3 أقل سعر
SIRA72DP-T1-GE3 يبحث
SIRA72DP-T1-GE3 شراء
SIRA72DP-T1-GE3 رقاقة