شراء Vishay Siliconix SIS698DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIS698DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

رقم القطعة

SIS698DN-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® 1212-8

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® 1212-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

19.8W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

6.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

195 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

8nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

210pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

6V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 34517 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212