قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
رقم القطعة
SIS782DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
41W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1025pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 10663 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIS782DN-T1-GE3
SIS782DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIS782DN-T1-GE3 مبيعات
SIS782DN-T1-GE3 المورد
SIS782DN-T1-GE3 موزع
SIS782DN-T1-GE3 جدول البيانات
SIS782DN-T1-GE3 الصور
SIS782DN-T1-GE3 سعر
SIS782DN-T1-GE3 يعرض
SIS782DN-T1-GE3 أقل سعر
SIS782DN-T1-GE3 يبحث
SIS782DN-T1-GE3 شراء
SIS782DN-T1-GE3 رقاقة