شراء Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

رقم القطعة

SIZ900DT-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-PowerPair™

أقصى القوة

48W, 100W

حزمة جهاز المورد

6-PowerPair™

نوع فيت

2 N-Channel (Half Bridge)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

24A, 28A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

7.2 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.4V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

45nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1830pF @ 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 6419 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR