شراء Vishay Siliconix SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

رقم القطعة

SQ2301ES-T1_GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TA)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

حزمة جهاز المورد

TO-236 (SOT-23)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3W (Tc)

نوع فيت

P-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

20V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

3.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

120 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

8nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

425pF @ 10V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

2.5V, 4.5V

في جي إس (الحد الأقصى)

±8V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 35739 PCS

معلومات الاتصال