شراء Vishay Siliconix SQ4850EY-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SQ4850EY-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

رقم القطعة

SQ4850EY-T1_GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

6.8W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

22 mOhm @ 6A, 5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

30nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1250pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 17799 PCS

معلومات الاتصال