قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

MOSFET N-CH 55V 30A TO252
رقم القطعة
SQD30N05-20L_GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
55V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
20 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1175pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 28268 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSQD30N05-20L_GE3
SQD30N05-20L_GE3 مكونات الكترونية
SQD30N05-20L_GE3 مبيعات
SQD30N05-20L_GE3 المورد
SQD30N05-20L_GE3 موزع
SQD30N05-20L_GE3 جدول البيانات
SQD30N05-20L_GE3 الصور
SQD30N05-20L_GE3 سعر
SQD30N05-20L_GE3 يعرض
SQD30N05-20L_GE3 أقل سعر
SQD30N05-20L_GE3 يبحث
SQD30N05-20L_GE3 شراء
SQD30N05-20L_GE3 رقاقة