شراء Vishay Siliconix SQJ202EP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

رقم القطعة

SQJ202EP-T1_GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® SO-8 Dual

أقصى القوة

27W, 48W

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Standard

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

20A, 60A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

6.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

22nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

975pF @ 6V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 54762 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO