SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 24A
رقم القطعة
SQJ850EP-T1_GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
23 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1225pF @ 30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50313 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSQJ850EP-T1_GE3
SQJ850EP-T1_GE3 مكونات الكترونية
SQJ850EP-T1_GE3 مبيعات
SQJ850EP-T1_GE3 المورد
SQJ850EP-T1_GE3 موزع
SQJ850EP-T1_GE3 جدول البيانات
SQJ850EP-T1_GE3 الصور
SQJ850EP-T1_GE3 سعر
SQJ850EP-T1_GE3 يعرض
SQJ850EP-T1_GE3 أقل سعر
SQJ850EP-T1_GE3 يبحث
SQJ850EP-T1_GE3 شراء
SQJ850EP-T1_GE3 رقاقة