قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SQJ860EP-T1_GE3

SQJ860EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
رقم القطعة
SQJ860EP-T1_GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2700pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 49071 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSQJ860EP-T1_GE3
SQJ860EP-T1_GE3 مكونات الكترونية
SQJ860EP-T1_GE3 مبيعات
SQJ860EP-T1_GE3 المورد
SQJ860EP-T1_GE3 موزع
SQJ860EP-T1_GE3 جدول البيانات
SQJ860EP-T1_GE3 الصور
SQJ860EP-T1_GE3 سعر
SQJ860EP-T1_GE3 يعرض
SQJ860EP-T1_GE3 أقل سعر
SQJ860EP-T1_GE3 يبحث
SQJ860EP-T1_GE3 شراء
SQJ860EP-T1_GE3 رقاقة