قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
VQ1001P
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
رقم القطعة
VQ1001P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
-
أقصى القوة
2W
حزمة جهاز المورد
14-DIP
نوع فيت
4 N-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
830mA
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
110pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 8378 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لVQ1001P
VQ1001P مكونات الكترونية
VQ1001P مبيعات
VQ1001P المورد
VQ1001P موزع
VQ1001P جدول البيانات
VQ1001P الصور
VQ1001P سعر
VQ1001P يعرض
VQ1001P أقل سعر
VQ1001P يبحث
VQ1001P شراء
VQ1001P رقاقة