شراء WeEn Semiconductors BYC30B-600PJ DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BYC30B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

رقم القطعة

BYC30B-600PJ

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

WeEn Semiconductors

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

D2PAK

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

30A

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

2.75V @ 30A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 600V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

35ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

175°C (Max)

السعة @ Vr، F

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 45869 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC