شراء WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BYV30JT-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

رقم القطعة

BYV30JT-600PQ

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

WeEn Semiconductors

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-3P-3, SC-65-3

حزمة جهاز المورد

TO-3P

نوع الصمام الثنائي

Standard

الحالي - المتوسط المصحح (Io)

30A

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

1.8V @ 30A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

10µA @ 600V

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

600V

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

65ns

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

175°C (Max)

السعة @ Vr، F

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 24440 PCS

معلومات الاتصال