onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NCD57000DWR2G Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.

NCD57000DWR2G

Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
رقم القطعة
NCD57000DWR2G
فئة
Power Chip > Gate Driver IC
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SOIC-16-300mil
التعبئة
taping
عدد الطرود
1000
وصف
The NCD57000 is a high current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation for high system efficiency and reliability in high power applications. Features include complementary inputs, open-drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLO, DESAT protection, soft shutdown on DESAT, and separate high and low driver outputs (OUTH and OUTL ). The NCD57000 can accommodate 5V and 3.3V signals on the input side, and a wide range of bias voltages on the driver side, including negative voltage capability. The NCD57000 provides > 5 kVrms (UL1577 rated) galvanic isolation and > 1200 Viorm (working voltage). The NCD57000 uses a wide body SOIC-16 encapsulation that guarantees 8 mm creepage distance between input and output, meeting reinforced safety insulation requirements.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 69307 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لNCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G مكونات الكترونية
NCD57000DWR2G مبيعات
NCD57000DWR2G المورد
NCD57000DWR2G موزع
NCD57000DWR2G جدول البيانات
NCD57000DWR2G الصور
NCD57000DWR2G سعر
NCD57000DWR2G يعرض
NCD57000DWR2G أقل سعر
NCD57000DWR2G يبحث
NCD57000DWR2G شراء
NCD57000DWR2G رقاقة