onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NCD57090EDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
رقم القطعة
NCD57090EDWR2G
فئة
Power Chip > Gate Driver IC
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SOIC-8-5.9mm
التعبئة
taping
عدد الطرود
1000
وصف
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 64356 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
الكلمات الرئيسية لNCD57090EDWR2G
NCD57090EDWR2G مكونات الكترونية
NCD57090EDWR2G مبيعات
NCD57090EDWR2G المورد
NCD57090EDWR2G موزع
NCD57090EDWR2G جدول البيانات
NCD57090EDWR2G الصور
NCD57090EDWR2G سعر
NCD57090EDWR2G يعرض
NCD57090EDWR2G أقل سعر
NCD57090EDWR2G يبحث
NCD57090EDWR2G شراء
NCD57090EDWR2G رقاقة