TECH PUBLIC (Taizhou)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G
رقم القطعة
NTJD4105CT1G
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
TECH PUBLIC (Taizhou)
التغليف
SOT-363-6
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 90459 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
الكلمات الرئيسية لNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G مكونات الكترونية
NTJD4105CT1G مبيعات
NTJD4105CT1G المورد
NTJD4105CT1G موزع
NTJD4105CT1G جدول البيانات
NTJD4105CT1G الصور
NTJD4105CT1G سعر
NTJD4105CT1G يعرض
NTJD4105CT1G أقل سعر
NTJD4105CT1G يبحث
NTJD4105CT1G شراء
NTJD4105CT1G رقاقة