TECH PUBLIC (Taizhou)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G
رقم القطعة
NTJD5121NT1G
فئة
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
TECH PUBLIC (Taizhou)
التغليف
SOT-363
التعبئة
taping
عدد الطرود
3000
وصف
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 85122 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
الكلمات الرئيسية لNTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G مكونات الكترونية
NTJD5121NT1G مبيعات
NTJD5121NT1G المورد
NTJD5121NT1G موزع
NTJD5121NT1G جدول البيانات
NTJD5121NT1G الصور
NTJD5121NT1G سعر
NTJD5121NT1G يعرض
NTJD5121NT1G أقل سعر
NTJD5121NT1G يبحث
NTJD5121NT1G شراء
NTJD5121NT1G رقاقة