شراء IXYS IXFN100N10S2 MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

رقم القطعة

IXFN100N10S2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

IXYS

مسلسل

HiPerFET™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SOT-227-4, miniBLOC

حزمة جهاز المورد

SOT-227B

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

360W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 4mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

180nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4500pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 45829 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B