قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
رقم القطعة
IXFN100N10S3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
الحزمة / القضية
SOT-227-4, miniBLOC
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23046 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXFN100N10S3
IXFN100N10S3 مكونات الكترونية
IXFN100N10S3 مبيعات
IXFN100N10S3 المورد
IXFN100N10S3 موزع
IXFN100N10S3 جدول البيانات
IXFN100N10S3 الصور
IXFN100N10S3 سعر
IXFN100N10S3 يعرض
IXFN100N10S3 أقل سعر
IXFN100N10S3 يبحث
IXFN100N10S3 شراء
IXFN100N10S3 رقاقة