قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFN110N85X
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
الحزمة / القضية
SOT-227-4, miniBLOC
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1170W (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
850V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
33 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 8mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
425nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
17000pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50191 PCS