قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFP10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
رقم القطعة
IXFP10N80P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™, PolarHT™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 2.5mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2050pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50826 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFP10N80P
IXFP10N80P مكونات الكترونية
IXFP10N80P مبيعات
IXFP10N80P المورد
IXFP10N80P موزع
IXFP10N80P جدول البيانات
IXFP10N80P الصور
IXFP10N80P سعر
IXFP10N80P يعرض
IXFP10N80P أقل سعر
IXFP10N80P يبحث
IXFP10N80P شراء
IXFP10N80P رقاقة