قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
رقم القطعة
IXFP12N50P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™, PolarP2™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1830pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 50401 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFP12N50P
IXFP12N50P مكونات الكترونية
IXFP12N50P مبيعات
IXFP12N50P المورد
IXFP12N50P موزع
IXFP12N50P جدول البيانات
IXFP12N50P الصور
IXFP12N50P سعر
IXFP12N50P يعرض
IXFP12N50P أقل سعر
IXFP12N50P يبحث
IXFP12N50P شراء
IXFP12N50P رقاقة