قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFP34N65X2M
MOSFET N-CH
رقم القطعة
IXFP34N65X2M
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
-
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220 Isolated Tab
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
100 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 1.5mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3230pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 24369 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFP34N65X2M
IXFP34N65X2M مكونات الكترونية
IXFP34N65X2M مبيعات
IXFP34N65X2M المورد
IXFP34N65X2M موزع
IXFP34N65X2M جدول البيانات
IXFP34N65X2M الصور
IXFP34N65X2M سعر
IXFP34N65X2M يعرض
IXFP34N65X2M أقل سعر
IXFP34N65X2M يبحث
IXFP34N65X2M شراء
IXFP34N65X2M رقاقة