قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFP38N30X3
FET N-CHANNEL
رقم القطعة
IXFP38N30X3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
240W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
300V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
50 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2240pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 42803 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFP38N30X3
IXFP38N30X3 مكونات الكترونية
IXFP38N30X3 مبيعات
IXFP38N30X3 المورد
IXFP38N30X3 موزع
IXFP38N30X3 جدول البيانات
IXFP38N30X3 الصور
IXFP38N30X3 سعر
IXFP38N30X3 يعرض
IXFP38N30X3 أقل سعر
IXFP38N30X3 يبحث
IXFP38N30X3 شراء
IXFP38N30X3 رقاقة