قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQB7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK
رقم القطعة
FQB7N20LTM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263AB)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
750 mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52271 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQB7N20LTM
FQB7N20LTM مكونات الكترونية
FQB7N20LTM مبيعات
FQB7N20LTM المورد
FQB7N20LTM موزع
FQB7N20LTM جدول البيانات
FQB7N20LTM الصور
FQB7N20LTM سعر
FQB7N20LTM يعرض
FQB7N20LTM أقل سعر
FQB7N20LTM يبحث
FQB7N20LTM شراء
FQB7N20LTM رقاقة