قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQB7N20TM

FQB7N20TM

MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
رقم القطعة
FQB7N20TM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263AB)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
690 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 45982 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لFQB7N20TM
FQB7N20TM مكونات الكترونية
FQB7N20TM مبيعات
FQB7N20TM المورد
FQB7N20TM موزع
FQB7N20TM جدول البيانات
FQB7N20TM الصور
FQB7N20TM سعر
FQB7N20TM يعرض
FQB7N20TM أقل سعر
FQB7N20TM يبحث
FQB7N20TM شراء
FQB7N20TM رقاقة