قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQI4N20TU
MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
رقم القطعة
FQI4N20TU
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
حزمة جهاز المورد
I2PAK (TO-262)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
220pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 8197 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQI4N20TU
FQI4N20TU مكونات الكترونية
FQI4N20TU مبيعات
FQI4N20TU المورد
FQI4N20TU موزع
FQI4N20TU جدول البيانات
FQI4N20TU الصور
FQI4N20TU سعر
FQI4N20TU يعرض
FQI4N20TU أقل سعر
FQI4N20TU يبحث
FQI4N20TU شراء
FQI4N20TU رقاقة