قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQI4N25TU

FQI4N25TU

MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
رقم القطعة
FQI4N25TU
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
حزمة جهاز المورد
I2PAK (TO-262)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.13W (Ta), 52W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
250V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.75 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.6nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
200pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46163 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لFQI4N25TU
FQI4N25TU مكونات الكترونية
FQI4N25TU مبيعات
FQI4N25TU المورد
FQI4N25TU موزع
FQI4N25TU جدول البيانات
FQI4N25TU الصور
FQI4N25TU سعر
FQI4N25TU يعرض
FQI4N25TU أقل سعر
FQI4N25TU يبحث
FQI4N25TU شراء
FQI4N25TU رقاقة