شراء Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111(TE85L,F) RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

MT3S111(TE85L,F)

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

رقم القطعة

MT3S111(TE85L,F)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

أقصى القوة

700mW

حزمة جهاز المورد

S-Mini

نوع الترانزستور

NPN

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

التردد - الانتقال

11.5GHz

شكل الضوضاء (ديسيبل نوع @ f)

1.2dB @ 1GHz

يكسب

12dB

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 19627 PCS

معلومات الاتصال