شراء Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F) RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

MT3S111P(TE12L,F)

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

رقم القطعة

MT3S111P(TE12L,F)

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Toshiba Semiconductor and Storage

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-243AA

أقصى القوة

حزمة جهاز المورد

PW-MINI

نوع الترانزستور

NPN

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

التردد - الانتقال

8GHz

شكل الضوضاء (ديسيبل نوع @ f)

1.25dB @ 1GHz

يكسب

10.5dB

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 49623 PCS

معلومات الاتصال