TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
رقم القطعة
TPN4R203NC,L1Q
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
U-MOSVIII
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.3x3.3)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 22W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.3V @ 200µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1370pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 44049 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لTPN4R203NC,L1Q
TPN4R203NC,L1Q مكونات الكترونية
TPN4R203NC,L1Q مبيعات
TPN4R203NC,L1Q المورد
TPN4R203NC,L1Q موزع
TPN4R203NC,L1Q جدول البيانات
TPN4R203NC,L1Q الصور
TPN4R203NC,L1Q سعر
TPN4R203NC,L1Q يعرض
TPN4R203NC,L1Q أقل سعر
TPN4R203NC,L1Q يبحث
TPN4R203NC,L1Q شراء
TPN4R203NC,L1Q رقاقة