TPN4R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
رقم القطعة
TPN4R712MD,L1Q
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
U-MOSVI
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.3x3.3)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.2V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4300pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±12V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 7757 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لTPN4R712MD,L1Q
TPN4R712MD,L1Q مكونات الكترونية
TPN4R712MD,L1Q مبيعات
TPN4R712MD,L1Q المورد
TPN4R712MD,L1Q موزع
TPN4R712MD,L1Q جدول البيانات
TPN4R712MD,L1Q الصور
TPN4R712MD,L1Q سعر
TPN4R712MD,L1Q يعرض
TPN4R712MD,L1Q أقل سعر
TPN4R712MD,L1Q يبحث
TPN4R712MD,L1Q شراء
TPN4R712MD,L1Q رقاقة