قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHG17N80E-GE3

SIHG17N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
رقم القطعة
SIHG17N80E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
E
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
-
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2408pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 5794 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHG17N80E-GE3
SIHG17N80E-GE3 مكونات الكترونية
SIHG17N80E-GE3 مبيعات
SIHG17N80E-GE3 المورد
SIHG17N80E-GE3 موزع
SIHG17N80E-GE3 جدول البيانات
SIHG17N80E-GE3 الصور
SIHG17N80E-GE3 سعر
SIHG17N80E-GE3 يعرض
SIHG17N80E-GE3 أقل سعر
SIHG17N80E-GE3 يبحث
SIHG17N80E-GE3 شراء
SIHG17N80E-GE3 رقاقة