شراء Vishay Siliconix SIS862DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 40A 1212

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIS862DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 40A 1212

رقم القطعة

SIS862DN-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® 1212-8

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® 1212-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

8.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.6V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

32nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1320pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 33936 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212