قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
رقم القطعة
SIS890DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
23.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
802pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 47992 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIS890DN-T1-GE3
SIS890DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIS890DN-T1-GE3 مبيعات
SIS890DN-T1-GE3 المورد
SIS890DN-T1-GE3 موزع
SIS890DN-T1-GE3 جدول البيانات
SIS890DN-T1-GE3 الصور
SIS890DN-T1-GE3 سعر
SIS890DN-T1-GE3 يعرض
SIS890DN-T1-GE3 أقل سعر
SIS890DN-T1-GE3 يبحث
SIS890DN-T1-GE3 شراء
SIS890DN-T1-GE3 رقاقة