قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
رقم القطعة
SIS888DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
ThunderFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TA)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8S
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
52W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
150V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420pF @ 75V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
7.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 13230 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIS888DN-T1-GE3 مبيعات
SIS888DN-T1-GE3 المورد
SIS888DN-T1-GE3 موزع
SIS888DN-T1-GE3 جدول البيانات
SIS888DN-T1-GE3 الصور
SIS888DN-T1-GE3 سعر
SIS888DN-T1-GE3 يعرض
SIS888DN-T1-GE3 أقل سعر
SIS888DN-T1-GE3 يبحث
SIS888DN-T1-GE3 شراء
SIS888DN-T1-GE3 رقاقة