شراء Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

رقم القطعة

SIS888DN-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

ThunderFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TA)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® 1212-8S

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

52W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

150V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

20.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.2V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

14.5nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

420pF @ 75V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

7.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 13230 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212